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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2002.1
- 수록면
- 59 - 63 (5page)
이용수
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2002
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10-V Josephson junction array arranged in 8 parallel stripline paths was fabricated using self-aligning and reactive ion etching techniques. These techniques were introduced in detail with aim of obtaining high-quality junctions. The array has 18,184 Josephson junctions with the area of $12\mu\textrm{m}$$\times$$38\mu\textrm{m}$. The gap voltage and minimum critical current density were about 2.7 ㎷ and ／$23 A\textrm{cm}^2$, respectively. And the critical current density and leakage current at 5 volt were about 27 $A／\textrm{cm}^2$ and $5\mu\textrm{A}$, respectively When operated in the frequency range of 76-88 ㎓, the away generated constant voltage steps up to 14-19 V. The step size near 10-V was more than 7 $\mu\textrm{A}$.
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