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자료유형
학술저널
저자정보
김경현 (충남대학교 재료공학과) 박종훈 (충남대학교 재료공학과) 김병두 (충남대학교 재료공학과) 김도진 (충남대학교 재료공학과) 김효진 (충남대학교 재료공학과) 임영언 (충남대학교 재료공학과) 김창수 (한국표준연구원, 재료 물성 평가 센타)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제12권 제3호
발행연도
2002.1
수록면
195 - 199 (5page)

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Planar Hall effect of ferromagnetic GaMnAs thin films was investigated for the first time. The films were grown in an optimized growth condition via molecular beam epitaxy at low temperatures. For the optimization of the growth conditions, we used reflection high-energy electron diffraction, electrical conductivity, double crystal x-ray diffraction, and superconducting quantum interference device measurements techniques. We observed that the difference between the longitudinal resistance and the transverse resistance matches the planar Hall resistance. The ratio of the planar Hall resistance at saturation magnetic field to that at zero reached above 500%.
#GaMnAs #planar Hall effect #molecular beam epitaxy

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