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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
이영민 (서울시립대학교 재료공학과) 송오성 (서울시립대학교 재료공학과)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제11권 제10호
발행연도
2001.1
수록면
900 - 906 (7page)

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이 논문의 연구 히스토리 (3)

2002

절연막층의 플라즈마 산화시간에 따른 CoFe/AlO/CoFe/NiFe 구조의 터널자기저항 효과 연구
이영민 ,  송오성 전기전자재료학회논문지 2002.01 학술저널

2001

ICP 스퍼터를 이용한 TMR 소자 제작에서 절연막의 플라즈마 산화시간에 따른 미세구조 및 자기적 특성 변화
이영민 ,  송오성 한국재료학회지 2001.01 학술저널
ICP 스퍼터를 이용한 TMR 소자 제작에서 절연막의 플라즈마 산화시간에 따른 미세구조 및 자기적 특성 변화
이영민 ,  송오성 한국재료학회 학술발표대회 2001.01 학술대회자료

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We prepared tunnel magnetoresistance(TMR) devices of Ta($50\AA$)/NiFe($50\AA$)/IrMn(150$\AA$)/CoFe($50\AA$)/Al ($13\AA$)-O/CoFe($40\AA$)/NiFe($400\AA$)/Ta(50$\AA$) structure which has 100$\times$100 $\mu\textrm{m}^2$ junction area on $2.5\Times2.5 cm^{2}$ $Si/SiO_2$ ($1000\AA$) substrates by a inductively coupled plasma(ICP) magnetron sputter. We fabricated the insulating layer using a ICP plasma oxidation method by varying oxidation time from 80 sec to 360 sec, and measured resistances and magnetoresistance(MR) ratios of TMR devices. We used a high resolution transmission electron microscope(HRTEM) to investigate microstructural evolution of insulating layer. The average resistance of devices increased from 16.38 $\Omega$ to 1018 $\Omega$ while MR ratio decreased from 30.31 %(25.18 %) to 15.01 %(14.97 %) as oxidation time increased from 80 sec to 360 sec. The values in brackets are calculated values considering geometry effect. By comparing cross-sectional TEM images of 220 sec and 360 sec-oxidation time, we found that insulating layer of 360 sec-oxidized was 30 % and 40% greater than that of 150 sec-oxidized in thickness and thickness variation, respectively. Therefore, we assumed that increase of thickness variation with oxidation time is major reason of MR decrease. The resistance of 80 sec-oxidized specimen was 160 k$\Omega$$\mu\textrm{m}^2$ which is appropriate for industrial needs of magnetic random access memory(MRAM) application.
#MRAM #TMR #spin-dependent #magnetoresistance

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