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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2001.1
- 수록면
- 65 - 69 (5page)
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We measured the transport properties of$ YBa_2$$Cu_3$$O_{x}$ ramp-edge junction fabricated with interface-engineered barrier. The current-voltage characteristics show a typical resistively-shunted junction like behavior Voltage noise measurement revealed that the main source of the 1/f noise is the critical current and resistance fluctuations. The analysis of the noise data showed that the critical current fluctuations increase with temperature, whereas the resistance fluctuations are almost constant, and both fluctuations are almost correlated. The smaller magnitude of the critical current and resistance fluctuations seems to result from the columnar-deflects.s.
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