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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
정성호 (광주과학기술원 기전공학과)
저널정보
한국레이저가공학회 한국레이저가공학회지 한국레이저가공학회지 제3권 제3호
발행연도
2000.1
수록면
39 - 45 (7page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2000

고출력 레이저 어블레이션에 의한 실리콘 가공시 발생하는 상폭발 현상에 관한 연구
정성호 한국레이저가공학회지 2000.01 학술저널
나노초 야그 레이저 어블레이션에 의한 실리콘의 폭발적 제거 현상 ( Explosive mass-removal processes during high power nanosecond Nd-YAG laser ablation of silicon )
정성호 ,  J. H. Yoo ,  R. G 외 2명 대한기계학회 춘추학술대회 2000.01 학술대회자료

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The volume and depth of the craters produced on silicon samples during high power laser ablation show a strong nonlinear change as the laser irradiance increases across a threshold value, approximately 2.2$\times$10$\^$10/ W/㎠. Time-resolved shadowgraph images of the ablation plume reveal the ejection of large particulates from the sample for laser irradiance above the threshold, with a time delay of about 300-400 ㎱. The numerically estimated thickness of the superheated liquid layer, considering the transformation of liquid metal into liquid dielectric near the critical state, agrees with the measured agrees with crater depths. It is suggested that a phase explosion of the deep superheated liquid layer near the critical state is responsible for the measured sudden increase of crater volume and the ejection of large particulates.
#Laser ablation #phase explosion #induced transparency

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