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이 논문의 연구 히스토리 (7)
2000
초크랄스키 실리콘 단결정에서 성장 쌍정과 결정 외형의 관계
박봉모
한국결정학회지
2000.01
학술저널
초크랄스키 실리콘 단결정에서 인상 속도의 거시적 변동이 성장 결함 형성에 미치는 영향
박봉모
,
서경호
,
김건
한국결정학회지
2000.01
학술저널
초크랄스키 실리콘 단결정에서 인상 속도의 거시적 변동이 OSF-링 형성에 미치는 영향
박봉모
,
서경호
,
김건
한국결정학회지
2000.01
학술저널
Cz-Si에서 결정 인상 속도 변동의 효과 (2) - 성장 계면에서의 점결함 거동 -
박봉모
,
최일수
한국결정학회 학술연구발표회
2000.01
학술대회자료
Cz-Si에서 결정 인상 속도 변동의 효과 (1) - 성장 결함의 형성 거동 -
박봉모
,
서경호
,
김건
한국결정학회 학술연구발표회
2000.01
학술대회자료
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In a Czochralski silicon single crystal, the relation between the growth twin and the crystal morphology was investigated. The growth twin is nucleated on the {111} facet planes near the growth ridges. When a {111} growth twin is formed in the <100> silicon crystal, the growth ridge where twin is nucleated will continuous through the twin plane. Other two ridges at the 90。 apart will be displaced about 33° and be deformed to facets. The ridge on the opposite side of twin nucleation will disappear by forming a slight hill. Because the growth ridges of silicon is due to the {111} planes, the variation in the growth ridge formation can be predicted clearly by considering the change of the {111} plane traces in the stereographic projection after twining.
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한국미생물학회 학술대회논문집
2012 .05
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