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자료유형
학술저널
저자정보
박진성 (조선대학교 재료공학과, 우수연구센타) 이은구 (조선대학교 재료공학과, 우수연구센타) 이현규 (조선대학교 재료공학과, 우수연구센타) 이우선 (조선대학교 수송기계부품 공장자동화 연구센타)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제6권 제6호
발행연도
1996.1
수록면
605 - 609 (5page)

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MOS 소자의 얇은산화막(thin oxide)불량을 화학적으로 식각하지 않고 불량부위를 광전자방사(photon emission)반응을 이용하여 위치를 확인하고, 이곳을 FIB로 절단하여 불량부위의 단면을 관찰했다. 20nm 두께의 SiO2불량은 셀(cell)영역의 위치에 따른 의존성은 없고, 불량은 저전계의 입자(particle)성 불량과 중간전계의 Si 기판 핏(pit)과 관련된 불량이 주였다. 고전계에서는 전형적인 SiO2 산화막의 절연파괴가 일어난 것이 관찰된다.

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