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학술저널
저자정보
Chang, Chang, Peng-Heng (Institutes of Materials Science and Engineering National Chiao Tung University) Chiu, Chiu, Re-Long (Institutes of Materials Science and Engineering National Chiao Tung University)
저널정보
한국재료학회 Fabrication and Characterization of Advanced Materials Fabrication and Characterization of Advanced Materials 제2권 제3호
발행연도
1995.1
수록면
1,009 - 1,014 (6page)

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Anodic $Al_2O_3$ capping layer has been reported to be albe to prohibit hillocks formation in Al thin film, a problem which has prevented the use of Al metallization to thin film transistor(TFT) liquid crystal display(LCD) until recently. This paper reports the characteristics of $Al_2O_3$grown by anodizing Al films sputtered on borophosphosilicate glass$(BPSG)/SiO_2/Si$ substrates. In particular, the effects of impurity doping, pre-treatment, and anodizing temperature on the structure and properties of the dielectric films are studied in detail

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