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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
소명기 (강원대학교 공과대학 재료공학과) 남인탁 (강원대학교 공과대학 재료공학과)
저널정보
강원대학교 산업기술연구소 산업기술연구 : 강원대학교 산업기술연구소 산업기술연구 : 강원대학교 산업기술연구소 제4권
발행연도
1984.1
수록면
37 - 41 (5page)

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Deposits of SiC has been formed by a chemical vapor deposition technique involving the application of gaseous mixture of $CH_3SiCl_3$ (MTS) and $H_2$ onto graphite substrate. These are non-fluid bed deposits prepared in an induction-heated reactor. From the experimental results, the deposition reaction of SiC is controlled by surface reaction mechanism at the temperature range between $1,100^{\circ}C$ and $1,400^{\circ}C$. The morphology of the SiC deposits changes from amorphous type to coarse, faceted structure as temperature increase.

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