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자료유형
학술대회자료
저자정보
최광혁 (경희대학교 정보전자 신소재 공학과) 김한기 (경희대학교 정보전자 신소재 공학과)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회 학술발표대회 한국재료학회 2012년도 춘계학술발표대회
발행연도
2012.1
수록면
1,102 - 1,102 (1page)

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We reported on antireflective ZnSnO (ZTO)/Ag bilayer and ZTO/Ag/ZTO trilayer source/drain (S/D) electrodes for all-transparent ZTO channel based thin film transistors (TFTs). The ZTO/Ag bilayer is more transparent (83.71%) and effective source/drain (S/D) electrodes for the ZTO channel/Al2O3 gate dielectric/ITO gate electrode/glass structure than ZTO/Ag/ZTO trilayer because the bottom ZTO layer in the trilayer increasea contact resistance between S/D electrodes and ZTO channel layer and reduce the antireflection effect. The ZTO based all-transparent TFTs with ZTO/Ag bilayer S/D electrode showed a saturation mobility of 4.54cm2/Vs and switching property (1.31V/decade) comparable to TTFT with Ag S/D electrodes.
#ZnSnO semiconductor #transparent thin film transistor #Source and drain electrodes

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