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Kim, Jong-Moo (Display and Nano Devices Lab., Korea Institute of Science and Technology, School of Electrical, Electronics and Computer Engineering, Dankook University) Lee, Joo-Won (Display and Nano Devices Lab., Korea Institute of Science and Technology) Kim, Young-Min (Display and Nano Devices Lab., Korea Institute of Science and Technology) Park, Jung-Soo (Display and Nano Devices Lab., Korea Institute of Science and Technology) Kim, Jai-Kyeong (Display and Nano Devices Lab., Korea Institute of Science and Technology) Ju, Byeong-Kwon (Display and Nano Devices Lab., Korea Institute of Science and Technology) Oh, Myung-Hwan (School of Electrical, Electronics and Computer Engineering, Dankook University) Kim, Jong-Seung (Department of Chemistry, Dankook University) Jang, Jin (Department of Information Display, Kyung Hee University)
저널정보
한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2004년도 Asia Display / IMID 04
발행연도
2004.1
수록면
1,030 - 1,033 (4page)

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We herewith report for the effect of dielectric surface modification on the electrical characteristics of organic thin-film transistors (OTFTs). The kist-jm-1 as an organic molecule for the surface modification is deposited onto the surface of zirconium oxide ($ZrO_2$) gate dielectric layer. The OTFTs are elaborated on the flexible plastic substrates through 4-level mask process to yield a simple fabrication process. In this work, we also have examined the dependence of electrical performance on the interface surface state of gate dielectric/pentacene, which may be modified by chemical properties in the gate dielectric surface.

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