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저자정보
강방권 ([주]창조엔지니어링 기술연구소) 김경수 ([주]창조엔지니어링 기술연구소) 진경복 (한국기술교육대학교) 이우영 (한국기술교육대학교) 조중희 ([주]창조엔지니어링 기술연구소)
저널정보
한국반도체디스플레이기술학회 한국반도체및디스플레이장비학회 학술대회 한국반도체및디스플레이장비학회 2005년도 춘계 학술대회
발행연도
2005.1
수록면
129 - 133 (5page)

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대기압 글로우 플라즈마를 이용하여 반도체 리드프레임(Alloy 42) 도금 전처리 습식 공정을 건식으로 대체하였다. 13.56 MHz의 RF 전원을 사용하여 300 W 파워에서 안정적인 대기압 글로우 플라즈마를 발생시켰으며, 금속 리드프레임에 플라즈마가 직접 접촉해도 아크나 스트리머 발생이 없었다. 플라즈마 소스 가스로는 알곤(Ar)을 사용하였으며, 활성가스로 산소($O_2$)를 첨가하였다. 300 W 파워에서 산소를 50 sccm 공급하고 100 mm/sec 속도로 리드프레임을 처리한 결과, 처리 전 접촉각이 $82^{\circ}$에서 처리 후 $10^{\circ}$ 이하로 낮아졌다. 플라즈마 처리 후 리드프레임 표면 거칠기 변화를 AFM으로 측정하였다.

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