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자료유형
학술대회자료
저자정보
최미령 (한국기술교육대학교 신소재공학과) 김영철 (한국기술교육대학교 신소재공학과)
저널정보
한국반도체디스플레이기술학회 한국반도체및디스플레이장비학회 학술대회 한국반도체및디스플레이장비학회 2002년도 추계학술대회 발표 논문집
발행연도
2002.1
수록면
18 - 19 (2page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2003

폐슬러지를 이용한 SiC 합성에 관한 열역학적 고찰
최미령 ,  김영철 한국반도체장비학회지 2003.01 학술저널

2002

폐슬러지를 이용한 SiC를 합성하기 위한 열역학적인 고찰
최미령 ,  김영철 한국반도체및디스플레이장비학회 학술대회 2002.01 학술대회자료

초록· 키워드

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Si 웨이퍼제조 시 나오는 페슬러지에서 SiC 연마재와 절삭유를 분리해내면 Si 분말을 얻을 수 있다. 본 연구에서의 SiC는 폐슬러지 Si 분말에 C 분말을 혼합하여 제조할 수 있다. Si-C-O 3성분계는 Si, $SiO_2$, SiC, C 4개의 응축상과 CO, SiO, $CO_2$, $O_2$ 4개의 기체상이 가능하고 생성물들 간의 평형관계를 깁스 자유에너지에 의해 평형 반응식이 계산되어질 수 있다. 계산된 평형 반응식은 2개의 SiO, CO 분압이 각각 X, Y 좌표평면에 나타나는 상안정도를 그려볼 수 있다. 상안정도에서 자유도가 2인 경우는, $SiO_2$가 불안정하므로 SiC와 C가 공존하는 영역에서 온도를 독립 변수로 놓으면 나머지 독립 변수는 SiO 나 CO 기체 분압 둘 중 하나가 되어 하나의 직선으로 나타낼 수 있다. 직선을 경계로 각 응축상들의 안정영역을 하나의 좌표평면에 나타낸 후 온도에 따른 SiC의 안정영역을 알아본다.

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