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논문 기본 정보

자료유형
학술대회자료
저자정보
김대종 (고려대학교)
저널정보
한국컴퓨터산업교육학회 한국컴퓨터산업교육학회 학술대회 한국컴퓨터산업교육학회 2003년도 제4회 종합학술대회 논문집
발행연도
2003.1
수록면
95 - 98 (4page)

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Power semiconductors are being currently used as a application of intelligent power inverters to a refrigerator, a washing machine and a vacuum cleaner as well as core parts of industrial system. The rating of semiconductor devices is an important factor in decision on the field of application and the forward blocking voltage is one of factors in decision of the rating. The Power MOS device has a merit of high input impedance, short switching time, and stability in temperature as well known. Power MOS devices are mainly used as switches in the field of power electronics, especially the on-state resistance and breakdown voltage are regarded as the most important parameters. Power MOS devices that enable a small size, a light weight, high-integration and relatively high voltage are required these days. In this paper, we proposed the new lateral power MOS which has forward blocking voltage of 250V and contains trench electrodes and verified manufactural possibility by using TSUPREM-4 that is process simulator.

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