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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2020.1
- 수록면
- 315 - 320 (6page)
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본 연구에서는 3-Zone 화학 기상 증착법을 이용하여 유리 기판 상에 MAPbI3 박막을 저온에서 성장시켰다. MAPbI3 박막을 성장하기 위하여 PbI2 와 Pb(dpm)2 납 전구체로 사용하였다. PbI2 를 전구체로 사용한 경우, 기판 온도는 PbI2 의 높은 승화 온도 (약 400 ℃) 로 인해 저온에서 일정하게 유지되지 않아 MAPbI3 박막의 열적 열화로 인해 PbI2 로 분해 되었다. 반면, Pb(dpm)2 의 경우, 충분한 증기압을 얻기 위한 승화 온도가 약 130 ℃ 로 낮아서 120 ℃ 의 기판의 온도를 일정하게 유지할 수 있었다. 그 결과, Pb(dpm)2 를 이용하여 유리 기판 상에 고품질의 MAPbI3 박막을 성공적으로 성장시켰다. Pb(dpm)2 를 사용한 MAPbI3 박막의 rms 거칠기는 PbI2 를 사용한 것 (약 22.7 nm) 과 비교하여 약 19.2 nm 로 낮았으며, 결정립 크기는 평균 350 nm 로 성장하였다.
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