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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2019.1
- 수록면
- 294 - 297 (4page)
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New insights about macro-step formation has been investigated. The phenomena of surface instability caused bythe interaction between step flow and fluid flow was describe in mechanical way. The rotation of the seed crystal in aclockwise direction was applied with a speed varied from 30 to 200 rpm during the TSSG process on the Si- and C-faces4H-SiC. The macro-steps were formed along the two specific directions at different locations on the crystal for each, i.e.,[10-10] or [01-10] directions or both. From the results, it is suggested that the macro-steps were generated from the microstepsby interaction between step flow and fluid flow during the rotation of seed crystal. Furthermore, The fluid flow couldbe effective to control the micro- and/or macro-step behavior during solution growth.
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D.H. Hofmann / 1999 / Prospects of the use of liquid phase techniques for the growth of bulk silicon carbide crystals / Mater. Sci. Eng 61-62:29
K. Kamei / 2012 / Crystallinity evaluation of 4H-SiC single crystal grown by solution growth technique using Si-Ti-C solution / Mater. Sci. Forum 717-720:45
K. Kusunoki / 2014 / Top-seeded solution growth of three-inchdiameter 4H-SiC using convection control technique / J. Crys. Growth 395:68
T. Kimoto / 1995 / Step bunching in chemical vapor deposition of 6H- and 4H-SiC on vicinal SiC(0001) faces / Appl. Phys. Lett 66:3645
R.L. Schwoebel / 1966 / Step motion on crystal surfaces / J. Appl. Phys 37:3682
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T. Kimoto / 1995 / Step bunching in chemical vapor deposition of 6H- and 4H-SiC on vicinal SiC(0001) faces / Appl. Phys. Lett 66:3645
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