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논문 기본 정보

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학술저널
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박건식 (한국전자통신연구원) 조두형 (한국전자통신연구원) 원종일 (한국전자통신연구원) 이병하 (국방과학연구소) 배영석 (국방과학연구소) 구인수 (현대위아)
저널정보
전력전자학회 전력전자학회논문지 전력전자학회 논문지 제24권 제6호
발행연도
2019.12
수록면
411 - 418 (8page)

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Light-triggered thyristors (LTTs) are essential components in high-power applications, such as HVDC transmission and several pulsed-power applications. Generally, LTT fabrication includes a deep diffusion of aluminum as a p-type dopant to form a uniform p-base region, which needs careful concern for contamination and additional facilities in silicon semiconductor manufacturing factories. We fabricated 4-inch 5,000 V LTTs with boron implantation and diffusion process as a p-type dopant. The LTT contains a main cathode region, edge termination designed with a variation of lateral doping, breakover diode, integrated resistor, photosensitive area, and dV/dt protection region. The doping concentration of each region was adjusted with different doses of boron ion implantation. The fabricated LTTs showed good light triggering characteristics for a light pulse of 905 ㎚ and a blocking voltage (VDRM) of 6,500 V. They drove an average on-state current (ITAVM) of 2,270 A, peak nonrepetitive surge current (ITSM) of 61 ㎄, critical rate of rise of on-state current (di/dt) of 1,010 A/㎲, and limiting load integral (I2T) of 17 MA2s without damage to the device.

목차

Abstract
1. 서론
2. 광 사이리스터(LTT) 디자인
3. 광 사이리스터 제작 및 특성 평가
4. 결론
References

참고문헌 (14)

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