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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제32권 제5호
발행연도
2019.1
수록면
357 - 360 (4page)

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본 논문에서는 임프린팅 법과 졸겔 공정으로 획득한 NiOx 산화막을 이용한 액정배향 특성을 연구하였다. Laser Interference lithography를 이용하여 정렬 패턴을 실리콘 웨이퍼 위에 제작하였다. 제작된 패턴은 유리 기판 위 졸겔 법을 이용하여 코팅된 NiOx 박막에 전사하고, 150 oC에서 소성하였다. Atomic force microscopy으로 확인한 결과 NiOx 박막 위 평행한 그루브를 확인 할 수 있었다. 이를 이용하여 제작한 액정 셀로부터 균일한 0.2° 의 프리틸트 각을 갖는 수평 액정 배향특성을 얻을 수 있었다. 정렬된 패턴은 공간적 제약에 가하여 결정성과 탄성특성을 갖는 액정분자들을 정렬 패턴과 동일한 방향으로 배향되도록 하였다.

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