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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제32권 제4호
발행연도
2019.1
수록면
281 - 286 (6page)

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본 연구에서는 광 트랩핑 개선을 위한 방안으로 작업 전극의 상단에 다이아몬드상 탄소(a-C:H, DLC) 박막을 반사방지 코팅 소재로 제안하였다. 비대칭 마그네트론 스퍼터링 시스템으로 증착한 a-C:H 박막의 경우 Raman 스펙트라 분석결과 G 피크는 타겟전력밀도가 증가함에 따라 높은 주파수 범위로 이동하였으며, ID/IG 비율은 0.902에서 1.012로 증가하였다. 또한 60 nm로 제작된 a-C:H 막의 투과율은 타겟전력밀도가 증가함에 따라 다소 감소하는 경향을 나타내었고, 550 nm 영역에서 가시광선 투과율은 69 %에서 58 %로 감소했다. a-C:H 박막의 표면거칠기 값은 타겟전력밀도 증가에 따라 감소되었으며, Rms 표면거칠기 값이 1.11 nm에서 0.71 nm까지 변화하였다. 또한 타겟전력밀도 증가에 따라 a-C:H 박막의 굴절율과 반사도는 각각 증가하였지만, brewster's 각은 타겟전력밀도에 따라 그 값이 감소하였다. 결과적으로 a-C:H 반사방지 코팅을 사용한 염료감응형 태양전지는 CE, VOC 및 Jsc는 각각 약 8.6 %, 5.5 %, 및 4.5 % 증가했다.

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