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논문 기본 정보

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저자정보
저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제32권 제3호
발행연도
2019.1
수록면
192 - 195 (4page)

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화학기상증착장치(Chemical vapor deposition, CVD)에 의한 단결정 다이아몬드는 차세대 파워디바이스로 활용될 수 있다. 기본적으로, 고전력 소자로의 응용을 위해서는 낮은 전위밀도의 단결정 제어가 필요하다. 그러나, CVD 성장중 발생하는 소성변형 및 격자 스트레인은 전위밀도를 불가피하게 증가시킨다. 그러므로, 고품질의 단결정 CVD 다이아몬드를 성장하기 위해서는 이에 대한 철처한 분석이 필요하다. 본 논문에서는 가속기 백색광 X-ray 토포그래피를 이용하여 CVD 다이아몬드의 전위 특성을 분석한 내용을 보고한다. 준비된 단결정 CVD 다이아몬드의 전체 표면에서 많은 칼날전위 및 5개의 혼합전위가 판별되었다. 본 샘플의 전위밀도는 7.28 × 106 cm-2 로 측정되었다.

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