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논문 기본 정보

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학술저널
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저널정보
한국원자력학회 Nuclear Engineering and Technology Nuclear Engineering and Technology 제51권 제3호
발행연도
2019.1
수록면
731 - 737 (7page)

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In this study, a new measurement method based on voltage transients in CdZnTe detectors response tolow energy photon irradiations is applied to measure the electron mobility (me) and electron mobilitylifetimeproduct (mt)e in a CdZnTe detector. In the proposed method, the pulse rise times are derived from low energy photon response to59.5 keV(241Am), 88 keV(109Cd) and 122 keV(57Co) g-rays for the irradiation of the cathode surface ateach detector for different bias voltages. The electron (mt)e product was then determined by measuringthe variation in the photopeak amplitude as a function of bias voltage at a given photon energy using apulse-height analyzer. The (mt)e values were found to be (9.6 ± 1.4)x10 3cm2 V 1 for 1000 mm3,(8.4 ± 1.6)x10 3cm2 V 1 for 1687.5 mm3 and (7.6 ± 1.1)x10-3 cm2 V 1 for 2250 mm3 CdZnTe detectors. Those results were then compared with the literature (mt)e values for CdZnTe detectors. The present results indicate that, the electron mobility me and electron (mt)e values in CdZnTe detectorscan be measured easily by applying voltage transients response to low energy photons, utilizing a fastsignal acquisition and data reduction and evaluation.

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