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저자정보
박명준 (국민대학교) 김성준 (국민대학교) 이시홍 (국민대학교) 김수인 (국민대학교) 이창우 (국민대학교)
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제22권 제5호
발행연도
2013.9
수록면
245 - 249 (5page)

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MOSFET 구조의 차세대 Oxide 박막으로 주목받고 있는 HfOx박막을 rf magnetron sputter를 이용하여 Si(100) 기판 위에 증착하였다. 증착시 산소의 유량을 5, 10, 15 sccm으로 변화를 주며 증착하였고 이후 furnace에서 400부터 800℃까지 질소분위기로 열처리 하였다. 실험결과 HfOx 박막의 전기적 특성은 산소유량 증가에 따라 누설전류 특성이 향상되었으나, 열처리 온도가 증가함에 따라서는 감소하였다. 특히, 이 논문에서는 Nano-indenter와 AFM으로 HfOx 박막의 nanomechanics 특성을 측정하였다. 측정 결과에 의하면 열처리 온도가 증가함에 따라 최대 압입력을 기준으로 최대 압입 깊이가 24.9 nm에서 38.8 nm로 증가하였으며 특히 800℃ 열처리된 박막에서 압입 깊이가 급격하게 증가하였다. 이러한 압입 깊이의 급격한 증가는 박막내응력 완화에 의한 스트레스 변화로 예상되며, 그 원인으로 증착시 박막내 포함된 산소가 열처리 조건에 의해 빠져나감에 의한 것으로 판단된다.

목차

I. 서론
II. 실험방법
III. 연구결과 및 고찰
IV. 결론
References

참고문헌 (13)

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UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2019-420-001274641