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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
신현욱 (경희대학교) 신재철 (한국광기술원) 최정우 (경희대학교)
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제22권 제2호
발행연도
2013.3
수록면
105 - 110 (6page)

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Vapor-Liquid-Solid 방법을 이용하여 다양한 성장온도와 V/III 비율 아래 In<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>As 나노와이어를 실리콘 (111) 기판 위에 성장하였다. 나노와이어 성장은 화학기상증착(MOCVD)장치를 이용하였으며, 나노와이어의 구조적 특성은 주사전자현미경 및 투과전자현미경을 이용하여 분석하였다. 나노와이어의 조성비 분포를 확인하기 위하여 투과전자현미경에 장착된 Energy dispersive X-ray 분석기로 나노와이어의 길이에 따른 In과 Ga의 조성비를 측정하였다. 성장온도와 V/III 비율이 올라갈수록 In 조성비가 나노와이어 내부에서 크게 변하는 것을 확인하였는데, 이는 Vapor-Solid 방식에 의한 나노와이어 표면에서의 성장이 증가하기 때문으로 이해된다.
#나노와이어 #화학기상증착 #In< #SUB> #x< #/SUB> #Ga< #SUB> #1-x< #/SUB> #As #Vapor-Liquid-Solid #Nanowire #MOCVD #In< #SUB> #x< #/SUB> #Ga< #SUB> #1-x< #/SUB> #As #Vapor-Liquid-Solid

목차

Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험방법
Ⅲ. 실험결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
참고문헌

참고문헌 (17)

참고문헌 신청
C. K. Chan / 2008 / Nature Nano 3:31 google schola A. I. Hochbaum / 2008 / Nature 451:163 google schola E. Garnett / 2010 / Nano Lett 10:1082 google schola B. Tian / 2007 / Nature 449:885 google schola K. Tomioka / 2010 / Nano Lett 10:1639 google schola

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UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2019-420-001274343