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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
서제형 (야스) 정승욱 (야스) 이원선 (야스) 최윤성 (야스) 최명운 (야스) 최진철 (연세대학교) 정광호 (연세대학교)
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제22권 제1호
발행연도
2013.1
수록면
1 - 6 (6page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2013

선형증발원을 이용한 대면적 CIGS 광흡수층 증착 및 특성 연구
서제형 ,  정승욱 ,  이원선 외 2명 한국진공학회 학술발표회초록집 2013.02 학술대회자료
대면적 CIGS 광흡수층 증착을 위한 선형증발원 개발
서제형 ,  정승욱 ,  이원선 외 4명 Applied Science and Convergence Technology 2013.01 학술저널

초록· 키워드

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600×1,200 mm 기판에 대면적 CIGS 광흡수층 증착을 위한 선형증발원 개발을 위해 다른 크기의 노즐과 일정한 노즐 간격을 가지는 선형증발원의 플럭스 밀도를 전산 모사하여 플럭스 균일도 ±5%의 조건을 구하였다. 이를 바탕으로 제작된 선형증발원을 이용하여 Cu, In의 단일막 두께균일도를 확인하였고, CIGS 광흡수층을 동시증발법으로 증착하여 박막의 두께균일도 및 증착 조성의 균일도로 선형증발원을 평가하였다. XRF 조성 분석을 통해 구한 조성불균일도는 600 mm 폭에서 Cu?5%, In?7%, Ga?4%, Se?3%으로 균일한 조성비로 성막된 것을 확인하였고 SEM 분석을 통해 표면 결정립의 형상을 확인하였다. 또한 XRD측정을 통해 선형증발원 방향의 대면적 CIGS 광흡수층이 칼코피라이트 구조임을 확인하였다. 이를 통해서 개발된 하향 선형증발원이 CIGS 광흡수층 증착에 적합함을 확인하였다.
#대면적 Cu(In1-xGax)Se2 #Copper indium gallium selenium #선형증발원 #열 증발법 #Large area Cu(In1-xGax)Se2 #Linear source #Thermal evaporation

목차

I. 서론
II. 선형증발원 전산모사
III. 선형증발원 제작
IV. 실험 방법
V. 결과 및 분석
VI. 결론
참고문헌

참고문헌 (9)

참고문헌 신청
1. [학술지(정기간행물)] - M. Acciarri / 2011 / / Cryst. Res. Technol 46 : 871 ~ google schola 2. [학술지(정기간행물)] - 최승훈 / 2012 / CIGSe2 박막태양전지용 Mo 하부전극의 물리·전기적 특성 연구 / 한국진공학회지 21 (3) : 142 ~ 150 google schola 3. [학술지(정기간행물)] - S. Aksu / 2009 / / Electrochem. Solid-State Lett 12 (D33) google schola 4. [학술지(정기간행물)] - C. Y. Su / 2011 / / Neih, and S. C. Liang, Sol. Energ. Mater. Sol. C 95 : 261 ~ google schola 5. [학술지(정기간행물)] - J. H. Shi / 2011 / / Prog. Photovolt: Res. Appl 19 : 160 ~ google schola

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