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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
오영헌 (부산대학교) 서민기 (부산대학교) 정윤철 (부산대학교)
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제21권 제3호
발행연도
2012.5
수록면
151 - 157 (7page)

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GaAs/Al<SUB>x</SUB>Ga<SUB>1-x</SUB>As 이차원 전자계는 양자점, QPC (quantum point contact), 전자 간섭계 등 다양한 형태의 양자구조 제작에 널리 사용된다. 하지만 일반적으로 GaAs 기반 양자소자는 극저온에서 소자의 전도도가 시간에 따라 변하거나 두 가지의 전도상태 사이를 왔다 갔다 하는 random telegraph noise 때문에 소자의 동작 특성이 상당히 불안하다. 이러한 문제점을 해결하기 위하여 산소 플라즈마를 이용한 소자의 표면처리가 소자의 안정성에 미치는 영향을 연구하였다. 이를 통해 소자의 표면을 산소 플라즈마를 이용하여 50 W∼120 W 사이의 출력으로 30 초간 처리한 후 HCl：H₂O (1：3) 용액을 이용하여 10초간 습식 식각한 경우 전도도의 안정성이 매우 향상됨을 알 수 있었다.
#전도도 안정성 #Quantum point contact #양자소자 #Random telegraph noise #Conductance stability #Quantum device

목차

Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험방법
Ⅲ. 실험결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
감사의 글
참고문헌

참고문헌 (13)

참고문헌 신청
1. [학술지(정기간행물)] - K. von Klitzing / 1980 / / Phys. Rev. Lett 45 : 494 ~ google schola 2. [학술지(정기간행물)] - D. C. Tsui / 1982 / / Phys. Rev. Lett 48 : 1559 ~ google schola 3. [학술지(정기간행물)] - M. Heiblum / 1985 / / Phys. Rev. Lett 55 : 2200 ~ google schola 4. [학술지(정기간행물)] - M. Heiblum / 1988 / / Phys. Rev. Lett 60 : 828 ~ google schola 5. [학술지(정기간행물)] - U. Meirav / 1990 / / Phys. Rev. Lett 65 : 771 ~ google schola

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