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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
H. M. W. Khalil (세종대학교) O. Kelekci (세종대학교) H. Noha (세종대학교) Y. H. Xie (캘리포니아주립대학교)
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제21권 제5호
발행연도
2012.9
수록면
279 - 285 (7page)

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주기적인 나노트랜치 패턴이 있는 기판 위에 놓인 CVD 그래핀의 전도특성을 측정하였다. 나노트랜치에 대해 평행한 방향과 수직한 방향 사이에 전도특성의 큰 비등방성을 발견하였다. 전기 전도의 방향이 나노트랜치에 수직한 경우, 약한 한곳모임의 특성에 있어서도 큰 차이점이 발견되었는데, 이는 퍼텐셜 변조에 의해 생겨나는 전하밀도의 비균일성에 의해 생겨나는 것으로 해석된다.
#Graphene #Nano trench #Anisotropy #Weak localization #그래핀 #나노트랜치 #비등방성 #약한 한곳모임

목차

I. Introduction
II. Experimental Method
III. Results and Discussion
IV. Conclusion
Acknowledgments
References

참고문헌 (17)

참고문헌 신청
A. K. Geim / 2007 / Nature Mater 6:183 google schola S. Das Sarma / 2011 / Rev. Mod. Phys 83:407 google schola C. Berger / 2004 / J. Phys. Chem. B 108:19912 google schola Q. Yu / 2008 / Appl. Phys. Lett 93:113103 google schola Y. Lee / 2010 / Nano Lett 10:490 google schola

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UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2019-420-001274090