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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2011.7
- 수록면
- 271 - 275 (5page)
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본 논문은 고휘도 발광소자의 특성을 높이기 위한 p-GaN 박의 홀농도 향상을 연구하였다. 우리는 metal organic chemical vapor deposition 법을 이용하여 Antimony (Sb)가 p-GaN의 홀농도 향상에 도움을 주는 것을 확인하였다. Atomic force microscope 측정을 통해 Sb가 계면활성제처럼 역할을 함으로써 p-GaN의 2차원 성장이 촉진됨을 알 수 있었다. 또한 X-ray diffraction 결과 [002] 면과 [102] 면의 반폭치가 Sb 도핑과 함께 줄어드는 것을 통해 Edge과 Screw 전위의 감소와 photoluminescence 결과에서 450∼500 ㎚ 청색 파장 영역에서 발광의 세기가 현저히 줄어드는 것으로 보아 질소 공극이 감소되는 것이 홀농도 향상의 주된 원임임을 알 수 있었다. Trimethylantimony가 10 μ㏖/min일 때 홀농도는 최대가 되었고 그때 홀농도는 5.4×10¹? ㎝?³이었다.
목차
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험방법
Ⅲ. 실험결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
감사의 글
참고문헌
참고문헌 (13)
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1. [학술지(정기간행물)] - R. M. Fletcher / 1999 / / Opt. Photonics News 10 : 19 ~
2. [학술지(정기간행물)] - E. F. Schubert / 2005 / / Science 308 : 1274 ~
3. [학술지(정기간행물)] - I. L. Sugiura / 1998 / / Jpn. J. Appl .Phys. Part 137 : 3878 ~
4. [학술지(정기간행물)] - W. Götz / 1995 / / Appl. Phys. Lett 67 : 2666 ~
5. [학술지(정기간행물)] - J. Neugebauer / 1995 / / Phys. Rev. Lett 75 : 4452 ~
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4. [학술지(정기간행물)] - W. Götz / 1995 / / Appl. Phys. Lett 67 : 2666 ~
5. [학술지(정기간행물)] - J. Neugebauer / 1995 / / Phys. Rev. Lett 75 : 4452 ~
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