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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2011.1
- 수록면
- 42 - 49 (8page)
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SiN<SUB>x</SUB> 박막을 200℃의 저온에서 SiH4 가스의 흐름 비율을 바꾸어 가며 PECVD 기법으로 성장하였다. 시료의 광 특성을 규명하기 위하여 상온 광 발광 스펙트럼을 측정하였다. 성장 시 SiH₄ 가스의 흐름 비율이 증가함에 따라 시료의 발광 최대치 파장이 장파장으로 이동하였으나, SiH₄ 가스의 흐름 비율과 무관하게 모든 시료에서 1.8, 1.9, 2.2, 2.4, 그리고 3.1 eV 에너지의 발광 현상을 관찰하였다. N₂, H₂, 그리고 O₂ 가스 분위기에서 후열처리를 거친 후, 발광 스펙트럼의 변화를 조사하였다. 열처리후의 발광 세기는 증가하였고, 특히, H₂ 및 O₂ 가스 열처리로 인하여 발광 최대치 파장이 단파장으로 이동하였으나, 특정한 파장에서 발광효과는 여전히 존재하였다. 발광 메카니즘에 대하여, SiNx 박막의 에너지 갭 내에 Si와 N 원자의 비결합 결함에 의한 에너지 준위 모델을 설정하였고, 이 에너지 준위의 천이에 의한 발광으로 이해하였다. 그리고 저온에서 성장한 SiN<SUB>x</SUB> 박막의 발광 효과는 앞으로 구부러짐이 가능한 Si 계 광소자 개발 가능성을 보여주고 있다.
목차
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험
Ⅲ. 실험 결과 및 분석
Ⅳ. 결론
감사의 글
참고문헌
참고문헌 (30)
참고문헌 신청
1. [단행본] - D. J. Lockwook / 1998 / Light Emission in Silicon: From physics to Device / Academic Press
2. [학술지(정기간행물)] - L. T. Canham / 2000 / / Nature 408 : 411 ~
3. [학술지(정기간행물)] - L. Pavesi / 2000 / / Nature 408 : 440 ~
4. [학술지(정기간행물)] - J. Ruan / 2003 / / Appl. Phys. Lett 83 : 5479 ~
5. [학술지(정기간행물)] - M. J. Chen / 2004 / / Appl. Phys. Lett 84 : 2163 ~
2. [학술지(정기간행물)] - L. T. Canham / 2000 / / Nature 408 : 411 ~
3. [학술지(정기간행물)] - L. Pavesi / 2000 / / Nature 408 : 440 ~
4. [학술지(정기간행물)] - J. Ruan / 2003 / / Appl. Phys. Lett 83 : 5479 ~
5. [학술지(정기간행물)] - M. J. Chen / 2004 / / Appl. Phys. Lett 84 : 2163 ~
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