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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
김진주 (강원대학교) 임선택 (서울대학교) 김곤호 (서울대학교) 정구환 (강원대학교)
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제20권 제2호
발행연도
2011.3
수록면
155 - 163 (9page)

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탄소나노튜브(CNT)와 합성기판 사이의 전도성 향상을 목적으로, 현재 리튬이온이차전지 등의 분야에서 전극으로 이용되고 있는 구리 호일을 합성기판으로 하여, 그 위에 수직배향 CNT 성장의 합성 최적화를 도모하였다. 합성은 수평식 CVD 합성장비를 이용하였으며, 최적의 합성조건은 구리호일 위에 10 ㎚의 Al2O3 버퍼층과 1 ㎚ 두께의 Fe 촉매층을 증착한 후, 아세틸렌가스를 이용하여 800℃에서 20분간 합성한 조건으로 설정하였다. CNT는 base-growth의 성장형태를 따랐고, Fe 1 ㎚ 두께인 경우, 7.2±1.5 ㎚의 촉매나노입자가 형성되었으며, 이를 이용하여 800℃에서 20분 성장결과, 직경 8.2 ㎚, 길이 325 ㎛의 수직배향 CNT를 얻을 수 있었다. 합성시간이 길어져도 CNT의 결정성, 직경 및 겹(wall) 수에는 큰 변화가 없었다. 끝으로, 구리호일 위에 수직 성장시킨 CNT의 전계방출 특성을 측정한 결과, 실리콘 산화막 위에 성장시킨 CNT와 비교하여, 월등히 낮은 전계방출 문턱전압과 10배 정도 높은 전계향상계수를 보였다. 이는 CNT와 금속기판 사이의 계면에서 전기전도도가 향상된 결과에 기인하는 것으로 사료된다.

목차

Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험방법
Ⅲ. 실험결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
감사의 글
참고문헌

참고문헌 (23)

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