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전수민 (인제대학교) 김민수 (인제대학교) 김군식 (인제대학교) 조민영 (인제대학교) 최현영 (인제대학교) 임광국 (인제대학교) 김형근 (인제대학교) 이동율 (삼성 LED) 김진수 (전북대학교) 김종수 (영남대학교) 이주인 (한국표준과학연구원) 임재영 (인제대학교)
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제19권 제4호
발행연도
2010.7
수록면
293 - 299 (7page)

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수열합성법으로 실리콘 (111) 기판 위에 산화아연 나노막대를 성장하였다. 산화아연 나노막대를 성장하기 전, 실리콘 기판에 스핀코팅법으로 씨앗층을 성장하였다. 산화아연 나노막대는 오토클레이브(autoclave)로 140℃에서 6시간 동안 성장하였고, 아르곤 분위기에서 300, 500, 700℃의 온도로 20분 동안 열처리하였다. X-ray diffraction (XRD), field-emission scanning electron microscopy (FE-SEM), photoluminescence (PL)를 이용하여 열처리한 산화아연 나노막대의 구조적, 광학적 특성을 분석하였다. 모든 산화아연 나노막대 시료에서 c-축 배향성을 나타내는 강한 ZnO (002) 회절 피크와 약한 ZnO (004) 회절 피크가 나타났다. 열처리 온도가 증가함에 따라 산화아연 나노로드의 residual stress는 compressive에서 tensile로 변하였다. Hexagonal 형태의 산화아연 나노로드를 관찰하였다. 산화아연 나노로드의 PL 스펙트럼은 free-exciton recombination에 의해 3.2 eV에서 좁은 near-band-edge emission (NBE) 피크와 산화아연 나노막대의 결함에 의해 2.12∼1.96 eV에서 넓은 deep-level emission (DLE) 피크가 나타났다. 산화아연 나노막대를 열처리함에 따라, NBE 피크의 세기는 감소하였고 DLE 피크는 열처리에 의해 발생한 산소 관련 결함에 의하여 적색편이 하였다.
#산화아연 #나노막대 #열처리 #X-ray diffraction #photoluminescence #ZnO #Nanorods #Annealing

목차

Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험
Ⅲ. 실험결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
감사의 글
참고문헌

참고문헌 (40)

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1. [학술지(정기간행물)] - Y. Ryu / 2006 / / Appl. Phys. Lett. 88 : 241108 ~ google schola 2. [학술지(정기간행물)] - Z. K. Tang / 1998 / / Appl. Phys. Lett. 72 : 3270 ~ google schola 3. [학술지(정기간행물)] - 김희수 / 2009 / ALD로 성장된 ZnO박막에 대한 질소이온 조사효과 / 한국진공학회지 18 (5) : 384 ~ 389 dbpia 4. [학술지(정기간행물)] - J. Koo / 2010 / / Semicond. Sci. Technol. 25 : 045010 ~ google schola 5. [학술지(정기간행물)] - 류혁현 / 2009 / 수열합성법으로 성장된 산화 아연 나노로드의 전구체농도에 따른 구조적, 광학적 특성 연구 / 한국진공학회지 18 (1) : 73 ~ 78 dbpia

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