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저자정보
이정주 (경상대학교) 성병훈 (경상대학교) 이종덕 (경상대학교) 박창영 (경상대학교) 김건호 (경상대학교)
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제18권 제6호
발행연도
2009.11
수록면
459 - 467 (9page)

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이 논문의 연구 히스토리 (3)

2011

진공증착법으로 제작한 AgGaSe₂ 박막의 구조 및 광학적 특성
이정주 ,  윤은정 ,  한동헌 외 3명 한국진공학회 학술발표회초록집 2011.08 학술대회자료

2009

진공증착법에 의해 제작된 Cd₂GeSe₄와 Cd₂GeSe₄:Co2+ 박막의 물리적 특성
이정주 ,  성병훈 ,  이종덕 외 2명 Applied Science and Convergence Technology 2009.11 학술저널
진공증착법에 의해 제작된 Cd₂GeSe₄와 Cd₂ GeSe₄:Co 박막의 구조 및 광학적 특성
이정주 ,  이종덕 ,  박창영 외 1명 한국진공학회 학술발표회초록집 2009.08 학술대회자료

초록· 키워드

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진공증착법으로 Cd₂GeSe₄와 Cd₂GeSe₄:Co<SUP>2+</SUP> 박막을 ITO(indium tin oxide) 유리 기판 위에 제작하였다. 결정화는 증착된 박막들을 질소분위기의 전기로에서 열처리함으로서 이룰 수 있었다. X-선 회절 분석에 의하여 증착된 Cd₂GeSe₄와 Cd₂GeSe₄:Co<SUP>2+</SUP> 박막의 격자상수는 a = 7.405 Å, c = 36.240 Å와 a = 7.43 Å, c = 36.81 Å로서 능면체(rhombohedral) 구조이었고, 열처리 온도를 증가함에 따라 (113)방향으로 선택적으로 성장됨을 알 수 있었다. 열처리 온도를 증가시킴에 따라 입계 크기가 점차 커지고 판상구조로 결정화 되었다. 실온에서 측정한 광학적인 에너지 띠 간격은 열처리 온도의 증가에 따라 Cd₂GeSe₄ 박막의 경우 1.70 eV ~ 1.74 eV로 증가하였고, Cd₂GeSe₄:Co<SUP>2+</SUP> 박막의 경우 1.79 eV ~ 1.74 eV로 감소하였다. Cd₂GeSe₄와 Cd₂GeSe₄:Co<SUP>2+</SUP> 박막 내의 전하운반자들의 동역학적 거동을 광유기 방전 특성(PIDC : photoinduced discharge characteristics) 방법으로 조사하였다.
#Cd₂GeSe₄ #열처리 효과 #Co 전이 원자 불순물 #에너지 띠 간격 #광유기 방전 특성 #Annealing effect #Cobalt transition atom impurity #Optical band gap #PIDC

목차

Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험
Ⅲ. 결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
참고문헌

참고문헌 (0)

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