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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제18권 제2호
발행연도
2009.3
수록면
147 - 150 (4page)

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Polydimethylsiloxane (PDMS) 기능성 박막을 도입하여 적은 게이트 누설 전류 특성을 가지는 유기트랜지스터를 제작하고 평가하였다. UV/ozone 처리를 하여 PDMS 표면에 위치한 소수성의 메틸 그룹의 화학적 결합을 끊어 친수성 실리콘 산화막 성질로 표면을 변화시키고 선택적인 펜타신 증착을 유도하였다. Off 전압상태 (V<SUB>g</SUB>-V<SUB>t</SUB> >0)에서 게이트 전압에 의해 기인하는 누설 전류는 선형영역 (V<SUB>d</SUB>=-5 V)과 포화영역 (V<SUB>d</SUB>=-30 V)에서 ~10<SUP>-10</SUP> A의 값을 보여주며 기존의 트랜지스터 보다 개선된 누설 전류 특성을 나타내었다.

목차

Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험방법
Ⅲ. 실험결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
감사의 글
참고문헌

참고문헌 (9)

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