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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2007.9
- 수록면
- 359 - 365 (7page)
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본 논문에서는 zinc oxide (ZnO)와 gallium이 도핑 된 zinc oxide (GZO)를 이용하여 radio frequency (RF) magnetron sputtering 방법에 의해 상온에서 제작된 bottom-gate 박막 트랜지스터의 특성을 평가하고 분석하였다. 게이트 절연층 물질로서 새로운 물질을 사용하지 않고 열적 성장된 SiO₂를 사용하여 게이트 누설 전류를 수 pA 수준까지 줄일 수 있었다. ZnO와 GZO 박막의 표면 제곱평균제곱근은 각각 1.07 ㎚, 1.65 ㎚로 측정되었다. 그리고 ZnO 박막은 80 % 이상, GZO 박막은 75 % 이상의 투과도를 가지고 있었고, 박막의 두께에 따라 투과도가 달라졌다. 또한 두 시료 모두 (002) 방위로 잘 정렬된 wurtzite 구조를 가지고 있었다. 제작된 ZnO 박막 트랜지스터는 2.5 V의 문턱 전압, 0.027 ㎠/(V·s)의 전계효과 이동도, 10⁴의 on/off ratio, 1.7 V/decade의 gate voltage swing 값들을 가지고 있었고, enhancement 모드 특성을 가지고 있었다. 반면에 GZO 박막 트랜지스터의 경우에는 -3.4 V의 문턱 전압, 0.023 ㎠/(V·s)의 전계효과 이동도, 2×10⁴의 on/off ratio, 3.3 V/decade의 gate voltage swing 값들을 가지고 있었고, depletion 모드 특성을 가지고 있었다. 우리는 기존의 ZnO와 1wt%의 Ga이 도핑된 ZnO를 이용하여 두 가지 모드의 트랜지스터 특성을 보이는 박막 트랜지스터를 성공적으로 제작하고 분석 하였다.
목차
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험 방법
Ⅲ. 결과 및 토론
Ⅳ. 결론
감사의 글
참고 문헌
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