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논문 기본 정보

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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제15권 제2호
발행연도
2006.3
수록면
162 - 167 (6page)

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GaAs<SUB>1-x</SUB>N<SUB>x</SUB>의 전도띠 바닥전자상태의 특성을 Ge 기판위에 성장시킨 GaAs<SUB>1-x</SUB>N<SUB>x</SUB>(x≤0.7) 박막에 대한공명라만산란 실험을 수행함으로써 조사하였다. LO(longitudinal optical)-phonon 라만세기의 강한 공명상승이 E<SUB>+</SUB> 뿐만 아니라 E<SUB>0</SUB> 전이에너지 근처에서 관측되었다. 그러나 E<SUB>+</SUB> 전이에너지 아래와 근처에서 관측되는 분명한 LO-phonon 선폭 공명상승과 다양한 X와 L 영역경계 (zone-boundary) phonon의 활성화와는 대조적으로, E<SUB>0</SUB> 전이에너지 근처에서는 어떠한 LO-phonon 선폭 확장공명이나 날카로운 영역경계 phonon의 활성화가 관측되지 않았다. 관찰된 공명라만산란 결과는 GaAsN의 전도띠 바닥전자상태가 비국소화된 bulk GaAs와 거의 흡사한 Γ대칭 상태로 구성되었다는 사실을 의미한다.

목차

국문초록
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험 방법
Ⅲ. 결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
감사의 글
참고문헌
Abstract

참고문헌 (1)

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