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논문 기본 정보

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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제14권 제2호
발행연도
2005.6
수록면
97 - 102 (6page)

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제일원리 분자동역학 방법을 이용하여 Si(001) 표면에 NO 분자 흡착을 연구하였다. NO 분자가 Si(001)의 dimer 축과 나란히 흡착될 경우에 50 K에서도 분해가 일어났다. 이를 에너지 장벽으로 환산해 보면 0.006eV로서 거의 무시해도 좋을 정도이다. 많일 NO 분자가 표면에 수직으로 들어오면 이웃에 있는 dimer에 걸쳐서 분해가 일어났다. 이 경우는 에너지 장벽은 0.08eV 정도였으며 여전히 낮은 수준이다. 분해가 된 산소분자는 dimer와 기판 사이의 backbond로 파고들어서 (에너지 장벽 0.007eV) 안정된 구조를 만들었다. 또 dimer에 나란히 흡착된 분자 상태의 경우는 N≡Si₃를 만들기도 하는데 속전자준위분광학(core level spectroscopy) 실험 결과와 일치한다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 계산방법

3. 결과 및 고찰

4. 결론

감사의 글

참고문헌

참고문헌 (4)

참고문헌 신청
[학술지(정기간행물)] - / 1991 / Electronic Structure of Solids '91 edited by P. Ziesche and H. Eschrig google schola [학술지(정기간행물)] - / / 그림 1의 C구조와 그림 2의 구조는 구조상 미묘한 차이가 있는데 C구조에서는 Si-O 간의 결합이 질소와 멀어지는 방향이고 구조에서는 질소와 가까운 방향이다. google schola [학술지(정기간행물)] - / 1991 / Fundamentals of Semiconductors google schola [학술지(정기간행물)] - / / 로 가지 않는 이유는 온도가 다르기 때문이다. 그림 2의 경우는 50 K이고 이 경우는 300 K이다. 여러 과정이 일어나는 에너지 장벽이 크지 않기 때문에 기판의 온도에 따라서 일어나는 현상이 다를 수 있다. google schola

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