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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology Journal of Korean Vacuum Society Vol.12 No.S1
- 발행연도
- 2003.10
- 수록면
- 56 - 59 (4page)
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Wurtzite GaN films are grown by low-pressure MOCVD on (0001)-plane sapphire substrates. The GaN films have a total thickness of 4 ㎛ with a surface Mg-doped p-type layer, which has a thickness of 0.5 ㎛. 90k eV Mn^+ ions are implanted into the GaN films at room temperature with doses ranging from 1×10^(15) to 1×10^(16) ㎝-². After an annealing step at 770℃ in flowing N₂, the structural characteristics of the Mn^+ implanted GaN films are studied by X-ray diffraction (XRD), Rutherford backscattering spectrometry (RBS) and atomic force microscopy (AFM). The structural and morphological changes brought about by Mn^+ implantation and annealing are characterized.
목차
Abstract
1. Introduction
2. Experiment
3. Results and Discussion
4. Conclusions
Acknowledgments
References
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