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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2001.4
- 수록면
- 67 - 71 (5page)
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MOCVD법으로 성장한 Zn-doped InGaN의 광학적 특성을 photoluminescence를 사용하여 연구하였다. 상온에서 Zn와 관련한 acceptor-like center들에 대한 넓은 스펙트럼들은 2.81 eV와 2.60 eV에서 관측되었다. 특히, 2.81 eV영역에서는 포논과의 상호작용에 의한 스펙트럼이 나타났으며, 포논 에너지가 ω = 92.5 meV의 값을 가짐을 확인하였다. InGaN 시료의 온도 변화에 대한 스펙트럼에서, 온도가 증가함에 따라 청색 발광을 기준으로 낮은 쪽의 에너지에 비해 높은 에너지 쪽의 발광이 빠른 감소를 가져왔으며 아울러 2.81 eV 영역에 해당하는 스펙트럼은 18 meV 만큼 높은 에너지 쪽으로 이동함을 관측하였다. 그러므로 청색 영역에서의 발광은 Zn와 관련된 complex center에서의 국소화된 천이에 따른 겨로가이다.
목차
요약
Abstract
1. 서론
2. 실험
3. 결과 및 논의
4. 결론
참고문헌
참고문헌 (0)
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