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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 1998.8
- 수록면
- 221 - 228 (8page)
이용수
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금속과 고분자 사이에 접착력을 향상시키기 위하여 이온 보조 반응법을 이용하여 고분자의 표면을 친수성으로 처리하였다. 이온 보조 반응법은 기존의 이온빔을 이용한 고분자 개질 방법과는 달리 이온 조사시 시료 표면에 반응성 가스를 흘려줌으로써 반응성 가스와 고분자 표면에 반응이 일어나게 하여 새로운 기능성 그룹을 형성하는 방법이다. 이온보조 반응법에서는 이온의 양은 5×10^(14)에서 1×10^(17) ions/㎠ 까지 변화시켰고 반응성 가스의 양은 0에서 8 sc㎝ 까지 변화시켰으며 이온의 에너지는 0.3 keV에서 1.2 keV 까지 변화시켰다. 이온 보조 반응법을 이용하여 처리한 고분자의 경우 접촉각은 단순히 Ar^+ 이온만을 이용하여 처리한 경우 40° 근처의 값을 나타내었다. 그러나, 반응성 가스인 산소를 표면에 주입하여 주었을 경우 접촉각은 20도 미만의 값을 나타내었다. 그리고 이때의 표면에너지는 ~70 dyne/㎠ 까지 증가하였다. 그러나 테프론(polytetraflouroethylene: PTFE)의 경우 이온의 양이 증가하면 원래의 접촉각 보다도 큰 값을 나타내었다. 이렇게 처리된 고분자 위에 금속을 증착 시켰을 때 금속과 고분자사이에 접착력을 조사하여 본 결과 처리하지 않은 시료의 경우 증착한 박막이 벗겨져 나가는데 반하여 이온 보조 반응법에 의하여 처리된 고분자 표면에 증착된 금속막은 떨어져 나가지 않음을 관찰 할 수 있었다.
목차
요약
Abstract
1. 서론
2. 실험방법
3. 결과 및 고찰
4. 결론
참고문헌
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