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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제7권 제2호
발행연도
1998.5
수록면
82 - 87 (6page)

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O₂기체에 NH₃/O₂기체를 첨가하여 실리콘 표면에 산화막을 형성하는 NH₃/O₂산화법에 의한 산화 공정시 반응석영관 외부에 방출하는 기체는 N₂, O₂및 H₂O이며 극소량의 CO₂, NO 및 NO₂가 검출되었다. 두 종류의 산화제(O₂및 H₂O)가 산화에 기여하며 성장률은 NH₃및 O₂의 부분압과 온도에 의해 결정되며, 그 기울기는 건식 및 습식 산화법의 중간에 평행하게 위치함을 확인하였다. Auger Electron Spectroscopy(AES) 측정결과 NH₃/O₂산화막은 정확한 SiO₂의 화학량론을 가지며 SiO₂/Si 계면에 발생하는 결함을 억제하며 고정전하의 발생을 최소화함을 알 수 있었다 . NH₃/O₂ 산화막(470Å)의 항복전압을 57.5 Volt이며, C-V특성곡선을 측정한 결과 플랫밴드 전압은 0.29 Volt이며 곡선의 형태는 이상곡선과 일치하였다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험방법

3. 결과 및 고찰

4. 결론

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