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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제3권 제1호
발행연도
1994.3
수록면
94 - 102 (9page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

1994

저압 MOCVD법에 의한 (100) - GaAs 기판 위의 GaxIn1-xP 성장과 특성
전성란 ,  손성진 ,  조금재 외 2명 Applied Science and Convergence Technology 1994.03 학술저널
저압 MOCVD법에 의한 (110) - GaAs 기판 위의 GaxIn1-xP 성장
전성란 ,  손성진 ,  조금재 외 2명 한국진공학회 학술발표회초록집 1994.02 학술대회자료

초록· 키워드

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x~=0.51인 Ga_xIn(1-x)P 에피층을 저압 MOCVD 성장법으로 TEGa(triethylgallium), TMIn(trimethylindium) 등의 MO(metalorganic) 원료와 PH₃(phosphine)를 사용하여 GaAs(100) 기판 위에 성장하였다. 성장조건에 의한 표면 morphology, 결정결함, 성분비, PL spectra, 운반자 농도와 이동도 및 DLTS spectra와 같은 성장층의 특성을 관찰하였다. 650℃의 성장온도와 V/Ⅲ 비, 즉 TEGa와 TMIn 두 원료의 유량에 대한 PH₃의 유량비가 160~220일 때 가장 좋은 성장표면을 나타내었다. 성장률은 PH₃의 유량변화에 아무런 영향을 받지 않음을 알 수 있었다. Ga_(0.51)In_(0.49)P 에피층과 기판의 격자상수 차에 의한 격자 부정합 △α_⊥/α。은 약 (3.7~8.9)×10^(-4)이었으며 실온과 5K에서 에피층의 PL 피크 에너지는 각각 1.85 eV와 1.9 eV였다. 성장층의 운반자 농도와 이동도는 V/Ⅲ 비에 따라 달라지는데 그 비가 120에서 220으로 증가함에 따라 농도는 1.8×10^(16) ㎝-³에서 8.2×10^16㎝-³로 증가하였고 이동도는 1010 ㎝/Vㆍsec에서 366 ㎝/Vㆍsec로 감소하였다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험

3. 실험결과 및 고찰

4. 결론

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