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논문 기본 정보

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학술저널
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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제4권 제2호
발행연도
1995.6
수록면
156 - 163 (8page)

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방사광의 조사가 원거리 플라즈마 화학증착법으로 저온에서 증착된 산화막에 미치는 영향에 대하여 연구를 수행하였다. 본 연구에서 방사광 조사시의 온도는 방사광에 의한 온도 증가 효과를 배제하기 위하여 373K 이하로 유지하였다. 방사광 조사시 산화막의 구조변화를 in-situ로 관찰하기 위하여 IRAS를 이용하였으며, 온도가 증가함에 따라서 산화막이 불균일하게 변화하며 산화막의 구조가 느슨해지는 것을 관찰할 수 있었다. 이러한 구조의 변화는 산화막 표면성분의 표면 이동에 의한 것으로 AFM, ex-situ IRAS와 FT-IR에 의하여 확인할 수 있었다. 이러한 결과로부터 열효과 배제시 방사광 조사가 산화막 구조 변화에 미치는 반응 메카니즘을 제시하였다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험

3. 결과 및 고찰

4. 결론

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