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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제12권 제1호
발행연도
2003.3
수록면
16 - 19 (4page)

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이 논문의 연구 히스토리 (3)

2003

γ-FIB 장치를 사용한 Ni 박막의 일함수 결정
오현주 ,  현정우 ,  이지훈 외 5명 Applied Science and Convergence Technology 2003.03 학술저널
γ - FIB 장치를 이용한 Co 박막의 일함수 측정
오현주 ,  현정우 ,  임연찬 외 4명 한국진공학회 학술발표회초록집 2003.02 학술대회자료

2002

γ - FIB 장치를 이용한 p - InP(100) 기판 위에 성장한 Ni 박막의 일함수 측정
오현주 ,  현정우 ,  이지훈 외 6명 한국진공학회 학술발표회초록집 2002.06 학술대회자료

초록· 키워드

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실온에서 p-InP (100) 위에 이온빔 증착법으로 Ni 박막을 성장하였다. Ni 박막의 이차전자방출계수(γ)와 일함수를 결정하기 위하여 Ne, Ar, N2, Xe 이온원을 사용하여 가속전압에 따른 γ를 측정하였다. 여러 가지 기체와 집속이온빔장치의 가속전압에 따른 γ 결과로부터 Ni 박막의 일함 수를 결정하였다. p-InP (100) 위에 성장한 Ni 박막의 일함수는 5.8 eV~5.85 eV 이었다. 실험을 통하여 얻어진 결과들은 실온에서 p-InP (100) 위에 성장한 Ni 박막의 전자적 성질에 관한 중요한 정보를 제공하고 있다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험방법

3. 실험결과

4. 결론

감사의 글

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