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논문 기본 정보

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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제11권 제4호
발행연도
2002.12
수록면
207 - 211 (5page)

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반도체-유전체 덮개층의 다양한 조합이 In_(0.53)Ga_(0.47)As/InGaAsP(Q1.25) 양자우물 무질서화에 미치는 영향을 PL(Photoluminescence)을 이용하여 조사하였다. 청색 편이에 대한 문턱 온도는 약 750℃ 였으며 전반적으로 온도가 올라감에 따라 청색 편이도 점차 증가하였으나 SiO₂의 경우에는 온도가 올라감에 따라 포화되는 경향을 보였다. SiN_x가 SiO₂보다 더 큰 청색 편이를 야기하였는데 이것은 SiN_x의 낮은 성장 온도와 관계가 있는 것으로 생각된다. SiN_x의 경우 P의 확산이, 그리고 SiO₂의 경우 Ga의 확산이 청색 편이에 중요한 역할을 하는 것으로 여겨진다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험 방법

3. 결과 및 고찰

4. 결론

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