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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제11권 제3호
발행연도
2002.9
수록면
135 - 140 (6page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

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본 논문에서는 p-type (100)Si, (100)MgO 그리고 MgO/Si 기판 위에 RF Magnetron sputtering 법으로 Ba_(0.5)Sr_(0.5)TiO₃(BST)박막을 증착하였다. BST 박막 증착 후 RTA(Rapid Thermal Annealing)를 이용하여 600℃에서 산소분위기로 1분간 고온 급속 열처리를 하였다. 증착된 BST 박막의 결정화를 조사하기 위해 XRD(X-Ray Diffraction) 측정을 한 결과 모든 기판에서 (110) Ba_(0.5)Sr_(0.5)TiO₃의 주피크가 관찰되어졌고, 열처리 후 재결정화에 기인하여 피크 세기가 증가함을 관찰할 수 있었다. Al 전극을 이용한 커패시터 제작 후 측정한 C-V(Capacitance-Voltage) 특성에서 각각의 기판에서 측정된 커패시턴스 값으로 계산된 유전율은 120(bare Si), 305(MgO/Si) 그리고 310(MgO)이었다. 누설 전류 특성에서는 0.3 ㎹/㎝이내의 인가전계에서 1 uA/㎠이하의 안정된 값을 보여주었다. 결론적으로 MgO 버퍼층을 이용한 기판이 BST 박막의 증착을 위한 기판으로써 효과적임을 알 수 있었다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험방법

3. 실험결과

4. 결론

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