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논문 기본 정보

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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제8권 제4(2)호
발행연도
1999.12
수록면
530 - 535 (6page)

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Near-field scanning optical microscope(NSOM) 장치를 자체 제작하고 이의 특성을 조사하였다. 탐침과 시료 사이의 거리 조절을 위해 압전 소자와 He-Ne 레이저를 이용하였으며, 100㎚ 이하의 분해능을 얻을 수 있었다. 이 NSOM 장치를 반도체 분광 연구에 활용하여 GaAs/AlGaAs MQWs와 InAs/GaAs QDs 시료에 대한 photoluminescence, photocurrent 및 reflectance 등의 분광 실험을 수행하였다. PL 실험의 경우 첨예한 광섬유의 끝단을 통과하는 광원의 세기가 매우 약하기 때문에 신호 대 잡음비가 매우 낮았으나 photocurrent 실험에서는 신호 대 잡음비가 100배 이상 좋아짐을 알 수 있었다. 따라서 NSOM을 이용, photocurrent를 측정할 경우 10㎚ 이하의 공간 분해능을 얻을 수 있는 가능성을 보여주었다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. NSOM 장치 제작 및 특성 조사

3. NSOM 분광 측정

4. 결론

참고문헌

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