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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 1992.2
- 수록면
- 190 - 197 (8page)
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Dichlorosilane(DCS) gas를 이용한 High Temperature Oxide(HTO) thin film의 물리적, 전기적 성질에 대해서 고찰하였다. 낮은 wet etch rate와 우수한 step coverage 특성을 보였으며, Si-O bond 양상은 Thermal Oxide와 유사하였다. I-V 특성 역시 thermal oxide에 근접하였으나, Time Dependent Dielectric Breakdown(TDDB) 결과는 thermal oxide의 ¼ 수준이었다. 반면, 넓은 면적 (0.3㎠)에서 측정된 defect density level은 thermal oxide보다 훨씬 우수하였다.
목차
요약
Abstract
1. 서론
2. 실험
3. 결과 및 고찰
4. 결론
참고문헌
참고문헌 (0)
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