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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한국진공학회(ASCT) Journal of Korean Vacuum Science & Technology Journal of Korean Vacuum Science & Technology Vol.4 No.3
- 발행연도
- 2000.10
- 수록면
- 78 - 80 (3page)
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We report on the fabrication and characterization of InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diode (LED) with a highly transparent Pt ohmic contact as a current spreading layer. The value of light transmittance of a Pt thin film with a thickness of 8 ㎚ on p-GaN was measured to be 85% at 450 ㎚. The peak wavelength and the full-width ... 전체 초록 보기
목차
Abstract
Ⅰ. Introduction
Ⅱ. Experimental
Ⅲ. Results and discussion
Ⅳ. Conclusions
Acknowledgement
References
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