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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한국진공학회(ASCT) Journal of Korean Vacuum Science & Technology Journal of Korean Vacuum Science & Technology Vol.2 No.1
- 발행연도
- 1998.4
- 수록면
- 20 - 24 (5page)
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The field emission current from a n-type GaN is theoretically calculated as a function of carrier concentration n. Among the carrier-induced effects are considered internal voltage drop and band gap shrinkage. The obtained emission current density j increases slowly with increasing n. It is also found that the internal voltage drop due to field penetration is a crucial factor, while the band gap shrinkage effect is meaningful only in high carrier concentrations.
목차
Abstract
Ⅰ. Introduction
Ⅱ. Emission from the n - type GaN
Ⅲ. Results and Discussion
Ⅳ. Conclusion
Acknowledgments
References
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