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논문 기본 정보

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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제6권 제2호
발행연도
1997.5
수록면
129 - 135 (7page)

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ZnIn₂Se₄ 및 ZnIn₂Se₄: Co 단결정을 합성된 ingot를 사용하여 수직 Bridgman 방법으로 성장시키고, 성장된 단결정의 결정구조와 광학적 특성을 연구하였다. 성장된 단결정은 공간군이 142 m인 사방정계구조를 가지고 있다. 기초 흡수단 영역에서의 광흡수 spectra 측정으로부터 이 단결정들은 간접전이형 에너지띠 구조를 갖고 있으며, 이 화합물 반도체의 직접전이형 및 간접전이형 에너지 간격은 10K에서 300K로 측정 온도를 변화시킬 때 감소하였다. 직접전이 energy gap의 온도계수는 ZnIn₂Se₄ 단결정의 경우는 α=3.57×10^(-4) eV/K, β=519K이고, ZnIn₂Se₄: Co 단결정의 경우는 α=2.31×10^(-4) eV/K 및 β=421 K로 각각 주어졌다. 또한 간접전이 energy gap의 온도 계수는 ZnIn₂Se₄ 단결정의 경우는 α=2.31×10^(-4) eV/K 및 β=285K이며, ZnIn₂Se₄: Co 단결정의 경우는 α=3.71×10^(-4) eV/K와 β=609 K 이였다. ZnIn₂Se₄: Co 단결정에서 cobalt 불순물에 기인한 6개의 불순물 광흡수 peak가 나타났다. 이들 불순물 광흡수 peak들은 불순물로 첨가된 cobalt가 모체결정의 T_d symmetry site에 Co^(2+) ion으로 위치하고, Co^(2+) ion의 분리된 전자에너지 준위들 사이의 전자전이에 의해 나타난 peak들로 해석된다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험

3. 실험결과와 고찰

4. 결론

참고문헌

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