Effect of Oxygen Partial Pressure and Sintering Temperature on the Evaporation of Elements during Sintering in In-Sn-Zn-O Transparent Conducting Oxide Systems

Dokyum Kim; Hyunil Jo; Young-Woo Heo; Jeong-Joo Kim; Joon-Hyung Lee

doi:10.5757/ASCT.2018.27.6.178

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저자정보: Dokyum Kim (Kyungpook National University) Hyunil Jo (Kyungpook National University) Young-Woo Heo (Kyungpook National University) Jeong-Joo Kim (Kyungpook National University) Joon-Hyung Lee (Kyungpook National University)

저널정보: 한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology Applied Science and Convergence Technology Vol.27 No.6

발행연도: 2018.11

수록면: 178 - 183 (6page)

DOI: 10.5757/ASCT.2018.27.6.178

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An amorphous In-Sn-Zn-O (ITZO) thin film has high electrical properties and is less prone to cracking in repeated bending, which is advantageous for application to flexible display panels. When ITZO sputtering target is sintered at high temperatures, the original compositions often deviate from the stoichiometry due to volatilization of In, Sn and Zn. In order to minimize the evaporation, targets have been sintered in high oxygen atmospheres. We investigate the volatile-induced compositional deviation of the ITZO samples after sintering. An electron probe micro-analyzer (EPMA) depth profile of the composition and thermogravimetric weight loss at high temperature were analyzed. The results showed that the sintering of ITZO at high oxygen partial pressure is very effective to suppress the volatilization of In, Sn, and Zn. The electrical and optical characteristics of the ITZO thin films are also analyzed.

#Amorphous thin film #Evaporation #Sintering #Oxygen partial pressure

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